(1)場效應管的根本參數(shù)
①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結(jié)型場效應管或耗盡型絕緣柵型場效應管源極接地的狀況下，能使其漏源輸出電流減小到零時所需的柵源電壓UGs。
②開啟電壓UT 也稱閥電壓，是加強型絕緣柵型場效應管在漏源電壓UDS為-‘定值時，能使其漏、源極開端導通的最小柵源電壓UGS。
③飽和漏電流IDSS 是耗盡型場效應管在零偏壓（即柵源電壓UGS為零）、漏源電壓UDS大于夾斷電壓UP時的漏極電流。
④擊穿電壓BUDS和BUGS
a．漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當場效應管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時，使漏極電流ID忽然增大且不受柵極電壓控制時的最大漏源電壓。
b．柵源擊穿電壓BUGS。是場效應管的柵、源極之間能接受的最大工作電壓。
⑤耗散功率PD 也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。
⑥漏泄電流ICSS 是場效應管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時產(chǎn)生的反向電流。
⑦直流輸入電阻RGS 也稱柵源絕緣電阻，是場效應管柵溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的比值。
⑧漏源動態(tài)電阻RDS 是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，普通為數(shù)千歐以上。
⑨低頻跨導gm 也稱放大特性，是柵極電壓UG對漏極電流ID的控制才能，相似于三極管的電放逐大倍數(shù)β值。
⑩極間電容 是場效應管各極之間散布電容構(gòu)成的雜散電容。柵源極電容（輸入電容）CGS和柵漏極電容CGD的電容量為1~3pF，漏源極電容CDS的電容量為o．1~lpF。
(2)常用場效應管的主要參數(shù)
局部結(jié)型場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-9。局部N溝道耗盡型MOS場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-10。局部加強型MOS場效應晶體管的主要參數(shù)見表3-11。
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