分析之前，需要對PN節(jié)相關的半導體知識，明白擴散運動與漂移運動的形成原因，明白多子與少子、空穴與電子的概念，針對清華大學華成英老師教材課件，最終形成如下分析：
N（negative）區(qū)的多子為電子，P（Positive）區(qū)的多子為空穴；
三極管發(fā)射區(qū)（即E區(qū)，為N區(qū)）多子（電子）濃度高，基區(qū)（即B區(qū)，為P區(qū)）薄則多子（空穴）濃度低，集電區(qū)面積大；
當發(fā)射結正偏時(即B區(qū)電位高于E區(qū)電位)，此時發(fā)射結兩側P區(qū)和N區(qū)進行擴散運動，擴散運動由多子的運動引起，則發(fā)射區(qū)電子從發(fā)射區(qū)擴散至基區(qū)，基區(qū)空穴從基區(qū)擴散至發(fā)射區(qū)，由于電子濃度遠大于空穴，則基區(qū)與空穴復合的電子數量極少，此時基區(qū)存在大量自由電子；
此時應思考，最終目的是保證基區(qū)的自由電子最終達到集電區(qū)，使三極管集電區(qū)和發(fā)射區(qū)導通：從基區(qū)到發(fā)射區(qū)的電子運動，基區(qū)為P區(qū)，電子為少子，為實現少子漂移運動，則應將集電結反偏（即C區(qū)電位高于B區(qū)電位），此時基區(qū)大量的從發(fā)射區(qū)擴散而來的自由電子漂移至集電區(qū)；
電場方向與電子運動方向相反，則此時集電區(qū)與發(fā)射區(qū)導通，滿足放大條件。
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