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        7. 數(shù)字電路,反相器基礎(chǔ)知識(shí)圖文介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2023-02-10 15:54:50
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          數(shù)字電路,反相器基礎(chǔ)知識(shí)圖文介紹
          反相器是數(shù)字電路中最基本的門(mén)電路之一,由NMOS和PMOS組成。
          反相器的結(jié)構(gòu)
          反相器 電路
          反向器由NMOS和PMOS組成,柵端(G)相連作為輸入端,漏斷相連作為輸出端,NMOS的源端接地,PMOS的源端接電源VDD.
          反相器的電壓、電流傳輸特性
          反相器 電路
          AB:T1導(dǎo)通T2截止
          BC:T1T2導(dǎo)通
          CD:T1截止T2導(dǎo)通
          VTC(Voltage Transfer Characteristics)曲線:
          反相器 電路
          VTC的形狀基本上與高于閾值的操作相同。VTC陡峭部分的斜率取決于反向器的亞閾值斜率。
          其中涉及到的的四個(gè)重要參數(shù):
          VIH:輸入電壓由高到低變化時(shí),輸出電壓開(kāi)始上升且傳輸特性曲線斜率為-1的點(diǎn),即圖中B點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓。(仍能維持輸出為邏輯 “0” 的最小輸入電壓)
          VIL:輸入電壓由低到高變化時(shí),輸出電壓開(kāi)始下降且傳輸特性曲線斜率為-1的點(diǎn),即圖中A點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓。(仍能維持輸出為邏輯 “1” 的最大輸入電壓)
          VOH:定義為最小合格高電平。(維持輸出為邏輯“1”的最小輸出電壓)
          VOL:定義為最大合格低電平。(維持輸出為邏輯“0”的最大輸出電壓)
          CMOS集成電路內(nèi)部規(guī)定Vol = 0v,Voh = Vdd。
          反相器的噪聲容限(VTC曲線)
          噪聲容限定義:
          輸入為高電平的噪聲容限:VNH=VOH-VIH
          輸入為低電平的噪聲容限:VNH=VIL-VOL
          反相器 電路
          反相器的亞穩(wěn)態(tài)
          當(dāng)反相器輸入電壓(Vil+Vih)/2接近于0.5Vdd,CMOS反相器的閾值電壓也接近于0.5Vdd,這樣輸出不確定會(huì)是高電平還是低電平,輸出呈亞穩(wěn)態(tài)!
          對(duì)于下面如下首尾相連的反向器結(jié)構(gòu):
          圖中的SNN即為靜態(tài)噪聲容限,方框面積越大,表示容限越大。
          并且此電路只能工作在三種狀態(tài),分別是三個(gè)交點(diǎn),當(dāng)狀態(tài)不在這三種狀態(tài)時(shí),輸入、輸出會(huì)將它們拉向兩端。
          反相器 電路
          反相器的動(dòng)態(tài)特性
          1)先解釋兩個(gè)名詞:
          1、Transition Time(轉(zhuǎn)換時(shí)間):
          上升時(shí)間tr:從10%Vdd上升到90%Vdd的時(shí)間,
          下降時(shí)間tf:從90%Vdd下降到10%dd的時(shí)間。
          上升時(shí)間和下降時(shí)間統(tǒng)稱(chēng)為T(mén)ransition Time,也有定義為20%到80%。
          反相器 電路
          2、Propagation Delay(傳播延時(shí)):
          在輸入信號(hào)變化到 50%Vdd到輸出信號(hào)變化到50%Vdd之間的時(shí)間。
          反相器 電路
          2)動(dòng)態(tài)功耗
          反相器從一種穩(wěn)定狀態(tài)突然變到另一種穩(wěn)定狀態(tài)的過(guò)程中,將產(chǎn)生附加的功耗,即動(dòng)態(tài)功耗。
          動(dòng)態(tài)功耗包括:負(fù)載電容充放電所消耗的功率Pc和PMOS、NMOS同時(shí)導(dǎo)通所消耗的瞬時(shí)導(dǎo)通功耗PT。
          在工作頻率較高的情況下,CMOS反相器的動(dòng)態(tài)功耗要比靜態(tài)功耗大得多,靜態(tài)功耗可以忽略不計(jì)。
          反相器 電路
          總功耗為P=PT+Pc
          扇入(fan-in)和扇出(fan-out)
          扇入:是指直接調(diào)用該模塊的上級(jí)模塊的個(gè)數(shù)。扇入大表示模塊的復(fù)用程序高。
          扇出:是指該模塊直接調(diào)用的下級(jí)模塊的個(gè)數(shù)。扇出大表示模塊的邏輯復(fù)雜度高,需要控制和協(xié)調(diào)過(guò)多的下級(jí)模塊;對(duì)于一定扇出數(shù)的電路,電路的工作頻率隨之確定,一般工作頻率越高,扇出數(shù)越小。
          在低頻(< 1MHz)的工作條件下,CMOS電路的扇出數(shù)可以達(dá)到50以上。因此。扇入越大越好,扇出越大越壞。在設(shè)計(jì)中,盡量減小扇出。
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