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          MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里產(chǎn)生的
          • 發(fā)布時(shí)間:2025-03-07 18:24:24
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          MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里產(chǎn)生的
          MOS管 BJT
          MOS管中的橫向BJT是一種重要的結(jié)構(gòu),能夠起到放大信號(hào)的作用,也被廣泛應(yīng)用于邏輯電路中。對(duì)于MOS管中的橫向BJT來說,其基極電壓對(duì)于整個(gè)結(jié)構(gòu)的性能有著至關(guān)重要的影響,那么這個(gè)電壓是怎么來的呢?本文將為您詳細(xì)講述。
          MOS管中的橫向BJT結(jié)構(gòu)
          在深入探討橫向BJT的基極電壓之前,先來了解一下MOS管中的橫向BJT結(jié)構(gòu)。MOS管是一種基本的半導(dǎo)體器件,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括了柵極、源極、漏極等。在其中,橫向BJT的結(jié)構(gòu)主要由N型增強(qiáng)型MOS管的漏極注入到P型襯底中形成的PNP型晶體管構(gòu)成,這個(gè)PNP晶體管的集電極是P型襯底,發(fā)射極是漏極,而基極則是柵極。
          當(dāng)P型襯底中存在了一個(gè)懸浮的N型區(qū)域時(shí),這個(gè)區(qū)域會(huì)形成NPN型晶體管,同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生PNP型晶體管,如果將懸浮區(qū)域作為橫向BJT的基極,那么導(dǎo)通的條件就是基極電壓比發(fā)射極電壓低一個(gè)PN結(jié)的壓降(0.6 V或0.7 V)。由于橫向BJT的發(fā)射極漏極之間只有一層PN結(jié),所以它的集電極到漏極的導(dǎo)通電阻比一般的二極管或PNP晶體管小很多。
          而橫向BJT的射極感性負(fù)載會(huì)使它的放大倍數(shù)受到負(fù)載阻抗的影響,所以對(duì)于放大器電路來說,為了達(dá)到較高的放大倍數(shù),需要選擇合適的負(fù)載阻抗。
          橫向BJT的基極電壓
          對(duì)于橫向BJT的基極電壓,這是由柵性質(zhì)以及PN結(jié)管的特性決定的。當(dāng)柵負(fù)壓極度較大時(shí),柵極和懸浮區(qū)域之間的電場(chǎng)非常強(qiáng),這會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)的開關(guān)速度非常快,橫向BJT也會(huì)跟隨著開關(guān)速度加快。所以,對(duì)于N型MOS管中的橫向BJT來說,一般而言,當(dāng)柵極電壓為0V時(shí)是閉合的,當(dāng)柵極電壓為負(fù)值時(shí),則處于開啟狀態(tài),這是因?yàn)闁艠O和漏極之間的PN結(jié)已經(jīng)接近逆偏極限,形成了一個(gè)可控的電路,而因?yàn)閼腋^(qū)域的電荷被改變,從而發(fā)生了晶體管的注入。
          此時(shí)如果在漏極與集電極之間加入一小的外部電壓的話,它就會(huì)觸發(fā)晶體管的開關(guān)消除,使橫向BJT進(jìn)入飽和狀態(tài)。而在這個(gè)狀態(tài)下,PN結(jié)接近正向偏壓,從而基極到漏極的電壓將保持一個(gè)約為0.6-0.7V的恒定值。
          因此,MOS管中的橫向BJT的基極電壓主要是來自柵極和PN結(jié)管的特性,在一定的柵電壓下,由于PN結(jié)管的特性,會(huì)產(chǎn)生一個(gè)約為0.6-0.7V的恒定電壓,這個(gè)電壓將作為橫向BJT的基極電壓,從而達(dá)到放大信號(hào)的作用。
          橫向BJT的基極電壓對(duì)性能的影響
          MOS管中的橫向BJT的基極電壓對(duì)性能有著重要的影響。首先,基極電壓的正確選擇是確保放大器正常工作的關(guān)鍵。“電荷注入”效應(yīng)是橫向BJT中非常重要的一種現(xiàn)象。由于橫向BJT中PN結(jié)的存在,當(dāng)漏極電壓足夠高時(shí),柵極源極之間的一個(gè)漏道就形成了一個(gè)PNP型的晶體管,從而導(dǎo)致橫向BJT進(jìn)入飽和狀態(tài)。
          而如果橫向BJT中的基極電壓不正確,那么可能會(huì)引起“飽和電壓暴漲”現(xiàn)象。簡(jiǎn)單的來說,就是在飽和區(qū)時(shí),因?yàn)榛鶚O電壓沒有達(dá)到某種特定的值,導(dǎo)致集電極電壓和漏極電壓之間的差異變得非常大,從而使橫向BJT的放大倍數(shù)非常低。甚至在一些情況下,如果基極電壓偏高,那么整個(gè)橫向BJT甚至?xí)M(jìn)入不穩(wěn)定狀態(tài),從而導(dǎo)致整個(gè)MOS管失效。
          其次,基極電壓的不正確選擇會(huì)導(dǎo)致橫向BJT中的漏極-集電極串聯(lián)不穩(wěn)定。如果基極電壓偏高,那么漏極-集電極串聯(lián)的電壓就會(huì)下降,導(dǎo)致橫向BJT的放大倍數(shù)減小,進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)MOS管的性能下降。而如果基極電壓偏低,那么漏極-集電極串聯(lián)的電壓就會(huì)升高,導(dǎo)致整個(gè)MOS管的利用壽命降低。
          結(jié)論
          MOS管中的橫向BJT是一種非常重要的結(jié)構(gòu),能夠起到放大信號(hào)的作用,同時(shí)也被廣泛應(yīng)用于邏輯電路中。橫向BJT的基極電壓主要是來自柵極和PN結(jié)管的特性,在一定的柵電壓下,由于PN結(jié)管的特性,會(huì)產(chǎn)生約為0.6-0.7V的恒定電壓,這個(gè)電壓將作為橫向BJT的基極電壓,從而達(dá)到放大信號(hào)的作用。同時(shí),橫向BJT的基極電壓對(duì)于整個(gè)結(jié)構(gòu)的性能有著至關(guān)重要的影響,正確的選擇也是整個(gè)電路正常工作的保證。
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