一、MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)基本工作原理

MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)電路主要由 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成。這種電路可以方便地通過(guò)邏輯電平來(lái)控制負(fù)載的通電與斷電狀態(tài)。負(fù)載通常連接在電源與 MOSFET 的漏極之間。在 MOSFET 的柵極施加邏輯高電平時(shí)，N 溝道 MOSFET（N-MOSFET）導(dǎo)通，電流可以從電源流向負(fù)載，使負(fù)載得電并正常工作；而在柵極施加邏輯低電平時(shí)，N-MOSFET 截止，電路斷開(kāi)，負(fù)載失電停止工作。

由于這種開(kāi)關(guān)電路中的 MOSFET 是連接在負(fù)載的下方，靠近地電平一側(cè)，因此通常被稱為低端負(fù)載開(kāi)關(guān)。

二、高端負(fù)載開(kāi)關(guān)電路

在某些特定應(yīng)用中，例如負(fù)載需要接地的電路（如功率放大電路、發(fā)射電路或接收電路等），低端負(fù)載開(kāi)關(guān)可能不適用。這種情況下，就需要采用高端負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。高端負(fù)載開(kāi)關(guān)電路主要由 P 溝道 MOSFET（P-MOSFET）組成，其位置在負(fù)載的上方，靠近電源正極一側(cè)。

以下是兩種常見(jiàn)的高端負(fù)載開(kāi)關(guān)電路構(gòu)成方式：

由 P-MOSFET 與反相器組成 ：如圖（a）所示，

該電路利用反相器來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯電平的轉(zhuǎn)換，從而控制 P-MOSFET 的導(dǎo)通與截止，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)負(fù)載的通斷控制。

由 P-MOSFET 與 N-MOSFET 組成 ：如圖（b）所示，通過(guò) N-MOSFET 來(lái)控制 P-MOSFET 的柵極電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì) P-MOSFET 的導(dǎo)通與截止控制，從而控制負(fù)載的通斷。

三、負(fù)載開(kāi)關(guān) - PMOS 開(kāi)關(guān)電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)電路主要用于控制后級(jí)負(fù)載的電源通斷，既可以直接采用集成電路（IC）來(lái)實(shí)現(xiàn)，也可以使用分立器件進(jìn)行搭建。分立器件搭建的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路通常采用 PMOS 管與三極管的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

以圖中所示的電路為例，

其中 R5 用于模擬后級(jí)負(fù)載，Q1 作為開(kāi)關(guān)元件。當(dāng) R3 端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，三極管 Q2 飽和導(dǎo)通。此時(shí)，PMOS 管 Q1 的柵源電壓 VGS 低于其閾值電壓 VGSth，Q1 導(dǎo)通，R5 負(fù)載得以通電工作。反之，當(dāng)激勵(lì)源為低電平時(shí)，Q2 截止，Q1 的柵源電壓升高，Q1 截止，負(fù)載 R5 斷電停止工作。電路中的 R3 是三極管 Q2 的限流電阻，用于保護(hù) Q2 不被過(guò)大的電流損壞；R4 為偏置電阻，用于設(shè)置 Q2 的偏置電壓；R1 和 R2 是 PMOS 管 Q1 的柵極分壓電阻，用于確保在無(wú)激勵(lì)信號(hào)時(shí) Q1 處于截止?fàn)顟B(tài)；C1 和 C2 為輸出濾波電容，用于平滑輸出電壓，減少瞬間電壓波動(dòng)對(duì)負(fù)載的影響。